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mos管是FET的一種,可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道m(xù)os管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。
MOS管的驅(qū)動(dòng)電路有兩個(gè)要點(diǎn):
1、瞬態(tài)驅(qū)動(dòng)電流要夠大,所謂驅(qū)動(dòng)MOS管,主要就是對(duì)MOS管門(mén)極的寄生電容的充電放電,也就是打開(kāi)和關(guān)閉MOS管
2、NMOS的Vgs(門(mén)-源電壓)高于4V即可導(dǎo)通,PMOS的Vgs(門(mén)-源電壓)低于4V即可導(dǎo)通
直接驅(qū)動(dòng)NMOS
R1為負(fù)載
僅適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng),因?yàn)镹MOS導(dǎo)通的條件是:Vgs高于4V左右,5V的PWM波剛好滿足要求(3.3V的低壓?jiǎn)纹瑱C(jī)這里就有無(wú)法完全打開(kāi)NMOS的風(fēng)險(xiǎn),表現(xiàn)為MOS發(fā)熱,或者負(fù)載兩端電壓過(guò)低)
推挽輸出
R1為負(fù)載
這個(gè)電路是共射極放大電路,主要是起到放大MOS管門(mén)極的驅(qū)動(dòng)電流,不能放大電壓,
適用于NMOS低端驅(qū)動(dòng),單片機(jī)直接驅(qū)動(dòng)MOS管的門(mén)極時(shí),電流不夠,開(kāi)關(guān)速度過(guò)慢,MOS管發(fā)熱時(shí),可以增加驅(qū)動(dòng)電流,實(shí)現(xiàn)更快速的MOS管的開(kāi)關(guān)
一種變換電壓的推挽式驅(qū)動(dòng)電路
R3為負(fù)載
如果采用PMOS作為高端驅(qū)動(dòng)的話,那么關(guān)斷PMOS就要使門(mén)極電壓至少等于源極電壓
采用兩個(gè)NPN三極管+ 一個(gè)二極管,實(shí)現(xiàn)給PMOS門(mén)極0V~12V的快速變換
當(dāng)然也可以用于NMOS的低端驅(qū)動(dòng)
此電路同時(shí)適用于3.3V輸出的單片機(jī)
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